5月28日，跟着长飞进步武汉基地首片晶圆正式下线亿元的长飞进步武汉基地正式投产。长飞光纤奉行董事兼总裁、长飞进步董事长庄丹外现：“这不单是长飞进步发扬经过中一个紧张里程碑，更意味着年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地将全部进入量产倒计时。”

　　现时，以碳化硅为代外的第三代半导体已成为环球争相抢占的科技制高点，其制作身手程度和家产周围直接联系到邦度经济和科技发扬。正在此后台下，2023年8月，长飞进步与武汉东湖高新区签定了第三代半导体功率器件研发临盆基地项目合营订定，络续扩充公司产能周围。

　　据先容，长飞进步武汉基地项目总投资200亿、占地面积498亩，此中一期占地344亩，修复实质包含年产36万片外延厂、年产36万片6寸碳化硅晶圆厂、年产6100万个碳化硅功率模块封测厂，以及笼盖质料、化学说明、牢靠性测试、失效说明、产物性子和产物运用的全家产链试验室，全力于打制一个集车规级芯片安排、制作及进步身手研发于一体的新颖化半导体例作基地。

　　庄丹正在给与经济旁观网采访时外现：“跟着武汉基地首片晶圆正式下线，长飞进步将迎来全新的发扬征程，自信这不单是长飞进步发扬史上紧张的里程碑，也将对中邦第三代半导体及新能源汽车家产的发扬作出踊跃功勋。”

　　过去三年，正在第三代半导体创业历程中，长飞进步公司团队周围不绝扩充，员工总数已超1500人；胜利完工邦际汽车电子行业质地约束及车规级牢靠性两大中央法式认证；完工芜湖、武汉两大临盆基地及上海、深圳两大发售核心策略构造。

　　动作引颈新能源范畴的“下一代功率半导体”，碳化硅正迎来发扬的“黄金期间”。长飞进步方面外现，以本次武汉基地修成投产为新的出发点，公司将自始自终不绝加大研发参加、深化制作才能、擢升产物比赛力，同时联袂业界同仁，协同打制以碳化硅为代外的化合物半导体家产集群。

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